일론 머스크의 테라팩, 2027년 중반 ASML로부터 첫 EUV 장비 인수 예정
🇰🇷 한글 번역
일론 머스크의 테라팩이 2027년 중반 ASML로부터 첫 극자외선(EUV) 리소그래피 장비를 받을 것으로 알려졌다. 최첨단 스캐너는 실험용 시설이 완공될 때까지 잠시 동안 가동되지 않을 전망이다.
머스크가 자유전자레이저(FEL) 광원을 강조하고 있음에도 불구하고, 당분간 칩 제조에는 전통적인 EUV 기술이 사용될 것이다.
Tim Culpan은 관련 사정에 정통한 소식통을 인용해 일론 머스크의 테라팩이 내년 중반 ASML의 첫 EUV 리소그래피 장비를 받게 될 것이라고 보도했다. 하지만 SemiAnalysis에 따르면, 회사의 개발용 파브(반도체 제조 공장) 외벽은 2027년 말까지 완공되지 않으며 장비는 그해 늦은 시점에야搬入되기 시작할 것이므로, 이 스캐너는 상당 기간 동안 가동되지 않고 방치될 것으로 보인다.
테슬라는 지난 4월 오스틴 근처 텍사스 기가텍사스의 북쪽 캠퍼스에 연구용 파브의 기공식을 가졌다. SemiAnalysis는 건물이 15개월 내에 완공될 것으로 예상하며, 장비와 생산 도구를 설치하는 데 추가 6개월이 소요될 것이라고 예측했다. 이후 웨이퍼 가공, 즉 테라팩 양산 파브 1단계 완료를 위해 팀을 준비하기 위한 칩 생산 실험을 시작할 수 있게 된다.
현재 ASML의 Twinscan NXE EUV 리소그래피 장비를 확보하는 것이 매우 어렵기 때문에, 사용 전에 몇 달간 보관하는 것은 비싼 공백기로 들릴 수 있지만, 이는 전통적인 반도체 제조업체에게는 큰 재정적 문제가 될 수 있더라도 테라팩에게는 그렇지 않을 것이다.
테라팩에 전통적인 EUV 리소그래피 시스템이 납품될 것이라는 전망은 일론 머스크가 리소그래피 장비용 FEL 광원을 칭찬했음에도 불구하고, 그의 반도체 생산 회사의 첫 세대 노력은 더 전통적인 장비에 의존할 것임을 나타낸다. 이는 특히 놀라운 일이 아니다. 테라팩은 인텔의 14A 제조 기술을 사용할 예정이기 때문이다. 14A는 기존 저NA EUV 스캐너뿐만 아니라 차세대 고NA EUV 기계도 사용할 것이다.
비전통적이고 주로 검증되지 않은 광원을 사용하는 리소그래피 시스템을 사용하면 제조 공정에 상당한 수정, 광범위한 장비 자격 증명이 필요하며, 포토마스크와 포토레지스트 변경이 필요할 수 있어 인텔의 14A 기술 이전이 복잡해지고 테라팩의 생산 증속이 지연될 수 있다.
하지만 표준 리소그래피 장비를 사용한다고 해서 머스크의 회사가 인텔이 사용하지 않는 장비 사용 계획을 전혀 가지고 있지 않다는 의미는 아니다. 다만, 현재로서는 테라팩 엔지니어들이 파브 구성 측면에서 무엇을 변경할지 추측하기에는 아직 이른다.
스페이스X는 2026년 8월 초 테라팩을 위해 그레이머스 카운티를 선정했다고 발표했다. 현재 드론 영상은 토지 정리 단계를 넘어선 진전을 보여주고 있다. 9월 중순 조 테그마이어가 공개한 영상에서는 부지 북서부 부분에서 기초 굴착과 철근 케이지 설치가 진행되고 있는 모습이 포착되었다. 이는 계약사들이 9월 초에 구조 공사를 시작했음을 시사하지만, 기초의 정확한 목적은 아직 알려져 있지 않다.
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현재 SemiAnalysis는 프로젝트 테라팩 그레이머스 1단계가 20개월 내에 건설되고, 17개월 동안 장비가 설치되며, 6개월 만에 양산 단계에 진입할 것이라고 보고했다. 분석가들은 파브가 2029년 말에 가동을 시작하고 2030년 중반까지 양산 단계에 도달할 것으로 전망한다.
테라팹의 볼륨 파브와 관련해 흥미로운 점은 스페이스X가 공식적으로 그레이머스 카운티 입지를 발표하기 몇 달 전인 2026년 4월에 반도체 제조 장비를 주문했다는 보도가 있다는 것이다. 이는 회사가 공개적인 기공식 이전에 이미 제조 계획에 착수했음을 시사한다. 또한 첨단 반도체 제조 장비는 긴 납기 기간을 수반하므로, 이는 2028년 중반 장비 설치 전망이 타당함을 뒷받침한다.
인텔은 계획대로라면 2027년 하반기에 14A(1.4nm급) 공정으로 리스크 생산을 시작하고, 2028년 하반기에 대량 생산(HVM)을 시작할 계획이다. 이는 인텔의 HVM 진입이 스페이스X의 테라팹 그레이머스 1단계보다 최소 1.5년 앞서는 것을 의미한다.
이는 테라팹이 양호한 수율을 갖춘 검증된 첨단 제조 기술을 확보하게 되지만, TSMC가 2029년 말에 A12 공정을 사용한 칩의 대량 생산을 시작할 예정이므로 당시로서는 최상위 생산 노드가 되지 않을 것임을 의미한다. A12는 TSMC의 두 번째 세대 나노시트 GAA 트랜지스터와 백사이드 전력 공급을 갖춘 1.2nm급 공정이다. 인텔도 이때쯤 14A-P 노드를 공개할 예정이다.
그럼에도 불구하고 테라팹은 스페이스X, 테슬라, xAI를 독점적으로 서비스할 가능성이 높으므로, 다소 덜 진보된 노드라도 큰 문제가 되지 않을 것이다. 더 정교한 제조 기술을 사용할 때 발생할 수 있는 잠재적 비용 증가는 자체 생산 시설을 사용함으로써 상쇄될 것이기 때문이다.
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안톤 실로프는 Tom’s Hardware의 기고 작가입니다. 지난 몇십 년간 그는 CPU와 GPU부터 슈퍼컴퓨터에 이르기까지, 최신 공정 기술과 파브 도구부터 하이테크 산업 동향에 이르기까지 다양한 주제를 다루어 왔습니다.
📄 원문 (English)
Elon Musk's Terafab will reportedly receive its first EUV tool from ASML in mid-2027 — cutting-edge scanner could sit idle for some time as experimental facility is completed
Despite Musk's boosting of FEL light sources, traditional EUV will inscribe chips for now
Elon Musk's Terafab will get its first EUV lithography tool in the middle of next year, reports Tim Culpan, citing sources with knowledge of the matter. But considering that the shell of the firm's development fab will not be completed until late 2027 and that tools will only begin to be moved in later that year, according to SemiAnalysis, the scanner will sit idle for some time.
Tesla broke ground on its research fab on the north campus of Giga Texas near Austin this past April. SemiAnalysis expects the building to be completed in 15 months and predicts it will take Tesla a further six months to install equipment and production tools, after which it will be able to start processing wafers, or rather experimenting with chip production to get the team prepared for completion of the Terafab volume fab phase 1.
Given how hard it is to get an ASML Twinscan NXE EUV lithography tool these days, storing it for several months before putting it to use may sound like an expensive slack period, but it's not the significant financial problem for Terafab that it would be for a traditional chipmaker.
The projected delivery of a conventional EUV lithography system to Terafab also indicates that while Elon Musk has praised free electron laser (FEL) light sources for lithography tools, the first-generation efforts of his semiconductor production company will rely on more traditional equipment. This is not particularly surprising, as Terafab is set to use Intel's 14A manufacturing technology. 14A will use not only existing Low-NA EUV scanners, but also next-generation High-NA EUV machines.
Using lithography systems with unconventional and largely untested light sources would require substantial modifications to the manufacturing process, extensive equipment qualification, and potentially changes to photomasks and photoresists, which would complicate the transfer of Intel’s 14A technology and delay Terafab's production ramp.
But usage of standard lithography equipment does not mean that Musk's company has no plans to use tools that are different from those used by Intel, though for now it is too early to make guesses about what Terafab engineers might change in terms of fab configuration.
SpaceX announced that it had selected Grimes County for Terafab in early August 2026. By now, there is evidence that work has progressed beyond clearing land, as drone footage published by Joe Tegtmeyer in mid-September showed foundation excavation and rebar cage installation at the northwestern part of the site. This suggests that contractors had begun structural construction by early September, although the precise purpose of the foundation is unknown.
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Right now, SemiAnalysis reports that project Terafab Grimes phase 1 will be built in 20 months, equipped in 17 months, and ramped to volume in six months. Analysts project that the fab will begin operation in late 2029 and then ramped to volume by mid-2030.
An interesting note about Terafab's volume fab is that SpaceX reportedly ordered semiconductor manufacturing equipment in April 2026, several months before officially announcing the Grimes County location. This indicates that the company committed to its manufacturing plans well before the public groundbreaking. In addition, this makes the mid-2028 equipment installation forecast plausible, given the long lead times associated with advanced semiconductor manufacturing equipment.
Intel plans to begin risk production using its 14A (1.4nm-class) fabrication process in the second half of 2027 and initiate high-volume manufacturing (HVM) in the second half of 2028 if everything goes as planned. This puts Intel's ramp into HVM at least 1.5 years ahead of SpaceX’s Terafab Grimes Phase 1.
This means that while Terafab will get a proven advanced manufacturing technology, presumably with decent yields, it will not be the absolute best production node at the time, as TSMC intends to start volume production of chips using its A12 fabrication process in late 2029. A12 is a 1.2nm-class process with TSMC's second-generation nanosheet GAA transistors and backside power delivery. Intel will be close to unveiling its 14A-P node at the same time.
Nonetheless, since Terafab will likely exclusively serve SpaceX, Tesla, and xAI, a slightly less advanced node will not be a big problem for the company, as the potential cost increases incurred by using a more sophisticated manufacturing technology will be offset by using an in-house production facility.
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Anton Shilov is a contributing writer at Tom’s Hardware. Over the past couple of decades, he has covered everything from CPUs and GPUs to supercomputers and from modern process technologies and latest fab tools to high-tech industry trends.
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