마이크론, HBM·DRAM·NAND 로드맵으로 AI 메모리 미래 설계
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마이크론 테크놀로지는 HBM, DRAM 및 NAND 로드맵을 통해 AI 메모리 미래를 설계
핵심 포인트
- 마이크론은 AI 시스템에서 메모리를 핵심 제약 조건으로 위치시키고, 더 높은 대역폭, 용량 및 전력 효율성을 제공하기 위해 DRAM, HBM, NAND 및 고급 패키징을 발전시키고 있다.
- 동사는 HBM4의 대량 생산 중이며 맞춤형 HBM, HBM4E 및 차세대 수직 HBM을 개발하고 있으며, DRAM 로드맵에는 2027년 하반기에 1-delta 공정의 양산과 eventual 3D DRAM 도입이 포함되어 있다.
- 2027년 하반기에 양산이 시작될 것으로 예상되는 마이크론의 제11세대 NAND는 제9세대 대비 비트 밀도를 두 배 이상 증가시키고 AI 중심의 높은 IOPS 및 높은 대역폭 스토리지를 지원할 것이다. 또한 경영진은 최소 2년 동안 메모리 공급이 긴박한 상태를 유지할 것으로 예상하고 있다.
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마이크론 테크놀로지(NASDAQ: MU)는 차세대 DRAM, 고대역폭 메모리(HBM), NAND 및 고급 패키징 기술에 대한 계획을 포함하여 상승하는 인공지능(AI) 메모리 및 스토리지 요구 사항을 중심으로 기술 및 제품 로드맵을 제시했다.
회사 기술 및 제품 리더십 웹 세미나에서 스콧 드보어(Scott DeBoer) 사장 겸 최고기술책임자(CTO) 및 제품 책임자는 AI가 메모리의 역할을 지원 컴포넌트에서 시스템 성능, 용량 및 토큰당 비용의 핵심 제약 조건으로 변화시키고 있다고 말했다. 그는 더 높은 대역폭, 더 큰 용량, 개선된 전력 효율성 및 고객과의 긴밀한 제품 협력을 통해 메모리, 스토리지 및 컴퓨팅을 함께 발전시키겠다는 마이크론의 목표를 밝혔다.
DRAM 로드맵 및 3D 전환
드보어는 마이크론의 1-감마(1-gamma) DRAM 노드가 대량 제조 단계에 있으며 향후 12개월 동안 출시될 제품의 기반이 될 것이라고 말했다. 회사는 2027년 하반기에 1-델타(1-delta) DRAM 노드가 양산에 진입할 것으로 예상하며, HBM5, 수직 HBM 및 수직 엣지 추론 메모리 등 AI 중심 제품을 대상으로 기술 최적화와 함께 비트 밀도를 중상위 퍼센트(p) 수준으로 개선하는 것을 목표로 하고 있다.
마이크론은 웨이퍼 본딩, 고NA(EUV), 신소재 및 기타 공정 혁신을 포함한 1-엡실론(1-epsilon), 1-제타(1-zeta) 및 에타(eta) 세대 기술에 대한 작업도 설명했다. 드보어는 3D DRAM을 도입하기 전에 평면 DRAM의 몇몇 추가 세대 스케일링에 대해 확신을 가지고 있다고 말했다.
마이크론의 로드맵에 3D DRAM이 포함되어 있지만, 드보어는 배치 시기는 비용, 복잡성 및 장치 성능 고려 사항에 달려 있을 것이라고 말했다. 그는 4F² DRAM 아키텍처가 6F² 설계보다 본질적으로 밀도 우위를 제공한다는 견해에 반박하며, 커패시터 피치가 DRAM 비트 밀도의 근본적인 결정 요인이라고 지적했다.
드보어는 질의응답 세션 중 "선도 기술 기업으로서 마이크론의 관점에서 바라볼 때, 우리가 현재 위치에 있는 곳 beyond에서 4F²를 스케일링하는 것을 보면, 그것은 물리학의 문제입니다. 4F² 스케일링에는 근본적인 문제가 있으며, 이는 궁극적으로 4F² 대신 3D DRAM이 도입되도록 이끌 것입니다."라고 말했다.
HBM 확장 및 수직 메모리
마이크론은 HBM4로 대량 제조 중이며 표준 및 맞춤형 HBM 제품을 모두 개발하고 있다고 밝혔다. 회사는 맞춤형 HBM 설계에 고객별 메모리 및 로직 IP를 베이스 다이(Base Die)에 통합할 것으로 예상하며, 표준 HBM 제품은 시장 일부로 남을 것이라고 덧붙였다.
동사는 또한 프로세싱 유닛 위에 메모리가 직접 통합되는 차세대 카테고리인 수직 HBM(고대역폭 메모리)을 소개했다. 디보어는 이 아키텍처가 주로 훨씬 더 큰 대역폭을 제공하기 위한 것이며, 열 관리의 어려움으로 인해 용량은 다른 속도로 확장될 것이라고 설명했다.
마이크론에 따르면 고급 패키징과 하이브리드 본딩은 이러한 제품들에게 점점 더 중요해질 것이다. 디보어는 인터커넥트 피치가 좁아짐에 따라 하이브리드 본딩이 필수적이라고 말하며, 대역폭과 열 관련 이점을 모두 지적했다. 회사는 또한 더 높은 스택의 HBM 설계와 열 기술을 개발 중이며, 여기에는 HBM 베이스 다이의 더 뜨거운 영역 위에 배치된 히트 스프레더가 포함된다.
마이크론은 향후 표준 및 맞춤형 HBM 베이스 다이에 파운드리 노드를 사용할 것이라고 밝혔다. 디보어는 HBM4가 마이크론이 전력 및 성능 목표를 달성하기 위해 더 진보된 CMOS를 필요로 하지 않았다고 말했지만, HBM4E는 속도와 전력 요구사항을 충족하기 위해 더 진보된 CMOS가 필요할 것이라고 덧붙였다.
새로운 DRAM 및 NAND 제품
마이크론은 몇 가지 forthcoming DRAM 제품을 강조했다. 회사에 따르면 LPDDR6는 LPDDR5보다 전력 성능이 35% 더 우수할 것으로 예상되며, 일부 밀도에서는 더 큰 개선을 보일 것이다. 마이크론은 또한 DDR5보다 대역폭이 두 배인 DDR6를 고객과 함께 개발 중이라고 밝혔으며, 최근 샘플링된 512기가바이트 DDR5 RDIMM에 이어 1테라바이트 RDIMM를 출시할 계획이다.
NAND와 관련하여 마이크론은 11세대 기술이 2027년 하반기에 양산에 들어갈 것이라고 말했다. 회사는 G11이 9세대 NAND에 비해 비트 밀도를 두 배 이상 늘리고, I/O 속도를 1.5배 목표로 하며, 데이터 전송 에너지를 줄일 것이라고 밝혔다. 이 노드는 웨이퍼 온 웨이퍼 본딩을 사용하며 400개 이상의 레이어를 포함할 것이다.
마이크론은 또한 AI 클래스 NAND를 두 가지 영역에서 추진하고 있다:
- 초고속 저장 제품을 위한 작은 블록을 사용하는 SLC 기반 NAND 설계로 높은 IOPS를 제공한다.
- 컴퓨팅 리소스에 더 가까이 배치된 TSV 스택 NAND와 로직 다이를 사용하는 높은 대역폭 NAND.
디보어는 데이터 센터, 자동차 및 엣지 애플리케이션 전반에 걸쳐 다양한 성능 및 비용 요구사항을 고려할 때, 회사는 고객과 협력하여 적절한 설계를 결정할 것이라고 말했다.
AI 도구, 투자 및 고객 협력
마이크론은 제품 개발 및 제조 실행을 가속화하기 위해 내부적으로 AI를 사용하고 있다고 밝혔다. 디보어는 이전 세대보다 절반의 시간으로 실리콘에서 테이프아웃으로 이동한 데이터 센터 컨트롤러 설계와, 이전 세대보다 60% 적은 시간으로 완료된 데이터 센터 SSD 개발 노력을 예로 들었다.
회사는 또한 마이크론 벤처스의 활동 확대, 알바니 나노텍에서의 고급 리소그래피 작업, 그리고 이전에 발표된 100억 달러 규모의 10년 마이크론 리서치 랩스 투자와 같은 장기적인 투자를 지적했다. 디보어는 회사는 스타트업 리퀴드부터 메타까지 다양한 파트너와 협력 중이며, 마이크론과 메타는 최근 데이터 센터를 위한 LPDDR6 최적화에 중점을 둔 백서를 공동으로 발표했다고 밝혔다.
AI 시스템 설계에 대한 질문에 답하며 디보어는 메모리 구성이 훈련, 추론, 엣지 및 랙 규모 배포 전반에 걸쳐 다양할 것이라고 말했다. 그러나 그는 더 많은 메모리 콘텐츠와 대역폭이 시스템 성능을 향상시킨다는 기본 원칙은 여전히 유효하다고 덧붙였다. 그는 회사 리더십의 이전 발언을 인용하여 향후 2년 동안 메모리 공급이 균형을 이루지 않을 것으로 예상된다고 말했다.
마이크론 테크놀로지(NASDAQ: MU) 소개
마이크론 테크놀로지, 인크.는 메모리 및 스토리지 제품을 개발하고 제조하는 반도체 기업이다. 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 낸드 플래시 메모리, NOR 플래시 메모리, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD), 메모리 모듈, 그리고 데이터 센터, 개인용 컴퓨터, 스마트폰, 자동차 시스템, 산업용 장비 및 소비자 가전 제품에서 사용되는 기타 반도체 솔루션을 포함한 포트폴리오를 보유하고 있다.
이 회사는 또한 인공지능, 고성능 컴퓨팅, 네트워킹 및 그래픽 애플리케이션을 지원하도록 설계된 하이밴드위드 메모리(HBM) 및 기타 첨단 메모리 기술을 제공한다.
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현재 마이크론 테크놀로지는 분석가들 사이에서 중립적 매수(Moderate Buy) 등급을 받고 있지만, 최고 평점 분석가들은 이 다섯 가지 주식이 더 나은 매수 대상이라고 믿고 있다.
데이터 센터와 전기자동차의 확산으로 인해 전력망은 더욱 긴장될 것이다. 에너지에 대한 글로벌 수요가 계속 증가함에 따라 에너지주가 포트폴리오에서 어떤 역할을 할 수 있는지 알아보기 위해 이 리포트를 다운로드하라.
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📄 원문 (English)
Micron Technology Maps AI Memory Future With HBM, DRAM and NAND Roadmap
Key Points
- Micron is positioning memory as a central constraint in AI systems, advancing DRAM, HBM, NAND and advanced packaging to deliver greater bandwidth, capacity and power efficiency.
- The company is in high-volume production of HBM4 and developing custom HBM, HBM4E and future vertical HBM, while its DRAM roadmap includes 1-delta production in the second half of 2027 and eventual 3D DRAM.
- Micron’s Generation 11 NAND, expected to ramp in the second half of 2027, will more than double bit density versus Generation 9 and support AI-focused high-IOPS and high-bandwidth storage; management also expects memory supply to remain tight for at least two years.
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Micron Technology NASDAQ: MU outlined a technology and product roadmap centered on rising artificial-intelligence memory and storage requirements, including plans for next-generation DRAM, high-bandwidth memory, NAND and advanced packaging technologies.
During the company’s technology and product leadership webinar, President and Chief Technology and Products Officer Scott DeBoer said AI is changing the role of memory from a supporting component to a central constraint on system performance, capacity and cost per token. He said Micron aims to advance memory, storage and compute together through higher bandwidth, larger capacities, improved power efficiency and closer product collaboration with customers.
DRAM roadmap and 3D transition
DeBoer said Micron’s 1-gamma DRAM node is in high-volume manufacturing and will serve as the foundation for products introduced over the coming 12 months. The company expects its 1-delta DRAM node to enter volume production in the second half of 2027, targeting a mid-20% percentage improvement in bit density while optimizing the technology for AI-oriented products including HBM5, vertical HBM and vertical edge inference memory.
Micron also described work on 1-epsilon, 1-zeta and eta-generation technologies, including wafer bonding, High-NA EUV, new materials and other process innovations. DeBoer said the company has confidence in several additional generations of planar DRAM scaling before introducing 3D DRAM.
While Micron has 3D DRAM on its roadmap, DeBoer said deployment timing will depend on cost, complexity and device-performance considerations. He pushed back on the view that 4F² DRAM architectures inherently provide a density advantage over 6F² designs, saying capacitor pitch is the foundational determinant of DRAM bit density.
“When we look out from Micron’s point of view as the leading-edge technology company, when we look at scaling 4F² beyond where we’re sitting today, it’s physics,” DeBoer said during the question-and-answer session. “There’s fundamental problems with 4F² scaling, that ultimately will lead to 3D DRAM coming in instead of 4F².”
HBM expansion and vertical memory
Micron said it is in high-volume manufacturing with HBM4 and is developing both standard and customized HBM products. The company expects custom HBM designs to incorporate customer-specific memory and logic intellectual property into the base die, while standard HBM products will remain part of the market.
The company also described a future category called vertical HBM, in which memory is integrated directly on top of processing units. DeBoer said the architecture is intended primarily to deliver substantially greater bandwidth, while capacity will scale at a different pace because of thermal-management challenges.
Advanced packaging and hybrid bonding will be increasingly important to those products, according to Micron. DeBoer said hybrid bonding is necessary as interconnect pitches tighten, and he cited both bandwidth and thermal benefits. The company is also developing higher-stack HBM designs and thermal technologies, including heat spreaders positioned over hotter areas of an HBM base die.
Micron said it will use foundry nodes for future standard and custom HBM base dies. DeBoer said HBM4 did not require more advanced CMOS for Micron to achieve its power and performance objectives, but HBM4E will require more advanced CMOS to meet speed and power requirements.
New DRAM and NAND products
Micron highlighted several forthcoming DRAM offerings. LPDDR6 is expected to provide 35% better power performance than LPDDR5, with greater improvement on some densities, according to the company. Micron also said it is working with customers on DDR6, which it described as offering twice the bandwidth of DDR5, and plans a 1-terabyte RDIMM following its recently sampled 512-gigabyte DDR5 RDIMM.
On NAND, Micron said its Generation 11 technology will ramp in the second half of 2027. The company said G11 will more than double bit density compared with its Generation 9 NAND, target 1.5 times the I/O speed and reduce data-transfer energy. The node will use wafer-on-wafer bonding and have more than 400 layers.
Micron is also pursuing what it calls AI-class NAND in two areas:
- High-IOPS, SLC-based NAND designs using small blocks for ultra-fast storage products.
- High-bandwidth NAND using TSV-stacked NAND and logic dies positioned closer to compute resources.
DeBoer said the company will determine the appropriate designs in collaboration with customers, given different performance and cost requirements across data center, automotive and edge applications.
AI tools, investment and customer collaboration
Micron said it is using AI internally to speed product development and manufacturing execution. DeBoer cited a data center controller design that moved from silicon to tape-out in half the time of the prior generation, as well as a data center SSD development effort completed with 60% less time than the preceding generation.
The company also pointed to longer-term investments, including expanded Micron Ventures activity, work at Albany NanoTech on advanced lithography and a previously announced $10 billion, 10-year commitment to Micron Research Labs. DeBoer said the company is collaborating with partners ranging from startup Liqid to Meta, with Micron and Meta recently publishing a white paper focused on optimizing LPDDR6 for data centers.
In response to questions about AI system design, DeBoer said memory configurations will vary across training, inference, edge and rack-scale deployments. However, he said the underlying principle remains that more memory content and bandwidth improve system performance. He added that Micron does not expect memory supply to come into balance over the next two years, citing prior comments by company leadership.
About Micron Technology (NASDAQ:MU)
Micron Technology, Inc is a semiconductor company that develops and manufactures memory and storage products. Its portfolio includes dynamic random-access memory (DRAM), NAND flash memory, NOR flash memory, solid-state drives, memory modules, and other semiconductor solutions used in data centers, personal computers, smartphones, automotive systems, industrial equipment, and consumer electronics.
The company also provides high-bandwidth memory and other advanced memory technologies designed to support artificial intelligence, high-performance computing, networking, and graphics applications.
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