삼성전자의 12층 HBM4E, 엔비디아 자격 인증 통과로 차세대 AI GPU 공급길 열려
🇰🇷 한글 번역
삼성전자가 점점 치열해지는 HBM(고대역폭 메모리) 경쟁에서 또 다른 주요 고비를 넘긴 것으로 알려졌다. 차세대 12층 HBM4E 메모리가 엔비디아(NVIDIA)와 여러 주요 초거대 데이터센터 기업으로부터 자격 인증 테스트를 통과했다는 것이다.
한국 매체 한경의 새로운 보도에 따르면, 삼성전자의 메모리 부문은 9월 말까지 엔비디아 및 기타 대형 데이터센터 고객사와 함께 12층 HBM4E의 자격 인증 테스트를 완료했다. 자격 인증은 메모리 제품이 상업적 배포로 나아가기 전 가장 중요한 단계 중 하나로, 고객들이 하드웨어가 요구하는 성능, 신뢰성, 열 특성 및 기타 사양을 충족하는지 평가하는 과정이다.
그러나 중요한 주의사항이 있다. 이 보도는 삼성이 고객 자격 인증을 통과했다고 주장할 뿐, 실제 공급량, 계약 가치 및 대량 생산 납품 일정은 아직 확인되지 않았다. 삼성전자는 해당 보도에 대해 확인을 거부하며, HBM4E 자격 인증 완료 여부를 확인할 수 없다고 한경에 전했다.
삼성전자는 지난 5월부터 주요 글로벌 고객사들에게 12층 HBM4E 샘플 출고를 시작했다. 이 칩은 스택당 48GB의 용량을 갖추고 있으며, 핀당 안정적으로 14Gbps로 작동하고 최대 16Gbps까지 확장 가능하여 최대 3.6TB/s의 대역폭을 제공한다. 삼성은 이는 기존 HBM4 세대 대비 20% 이상 향상된 성능을 의미한다고 밝혔다.
내부 구조를 살펴보면, HBM4E는 삼성의 6세대 10nm급 1c DRAM과 삼성 파운드리가 생산한 4nm 로직 베이스 다이(Base Die)를 결합한 것으로, 기존 HBM4 제품에 이미 도입된 제조 기술을 기반으로 한다. 삼성은 이전에 이 칩이 전력 효율성과 열 특성 측면에서도 개선을 가져왔다고 밝힌 바 있다. 이는 AI 가속기가 메모리 대역폭과 전력 요구사항을 지속적으로 높여감에 따라 점점 더 중요해지는 두 가지 요소다.
삼성전자는 HBM 시장에서 SK하이닉스와 마이크론에 대항해 입지를 강화하기 위해 공격적으로 움직여 왔다. 이 회사는 올해 초 엔비디아의 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼용으로 설계된 HBM4의 대량 생산을 시작했으며, 이에 이어 빠르게 HBM4E 샘플을 출시했다.
만약 보도된 엔비디아 자격 인증이 정확하다면, 삼성전자는 이제 중요한 기술적 마일스톤을 넘은 것이다. 다음 질문은 엔비디아 및 기타 AI 고객사들이 차세대 가속기의 생산을 본격적으로 늘리기 시작할 때, 이것이 상당한 HBM4E 주문량으로 이어질 것인가 하는 점이다.
뉴스 출처: 한경
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📄 원문 (English)
Samsung Electronics has reportedly cleared another major hurdle in the increasingly competitive HBM race, with its next-generation 12-layer HBM4E memory reportedly passing qualification testing at NVIDIA and several major hyperscalers.
According to a new report from Korean outlet Hankyung, Samsung’s memory division completed qualification testing of its 12-Hi HBM4E with NVIDIA and other large data center customers toward the end of September. Qualification is one of the most important steps before a memory product can move toward commercial deployment, as customers evaluate whether the hardware meets their required performance, reliability, thermal, and other specifications.
There is an important caveat, however. The report only claims that Samsung has passed customer qualification; actual supply volumes, contract values and mass-production delivery schedules have not yet been confirmed. Samsung itself declined to verify the report, telling Hankyung that it was unable to confirm whether the HBM4E qualification had been completed.
Samsung began shipping samples of its 12-layer HBM4E to major global customers in May. The chip packs 48 GB of capacity per stack, operates at a stable 14 Gbps per pin and can scale to up to 16 Gbps, delivering as much as 3.6 TB/s of bandwidth. Samsung says this represents more than a 20% performance increase over its HBM4 generation.
Under the hood, HBM4E combines Samsung’s sixth-generation 10nm-class 1c DRAM with a 4nm logic base die produced by Samsung Foundry, building on the manufacturing technologies already deployed with its HBM4 products. Samsung previously said the chip also brings improvements to power efficiency and thermal characteristics, two increasingly important factors as AI accelerators continue pushing memory bandwidth and power requirements higher.
Samsung has been moving aggressively to strengthen its position against SK hynix and Micron in the HBM market. The company began mass-producing HBM4 earlier this year, with the memory designed for NVIDIA’s Vera Rubin platform, before quickly following it up with HBM4E samples.
If the reported NVIDIA qualification is accurate, Samsung has now crossed a significant technical milestone. The next question is whether that translates into substantial HBM4E orders once NVIDIA and other AI customers begin ramping their next-generation accelerators.
News Source: Hankyung
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