엔비디아 커스텀 HBM 개발로 삼성·TSMC 파운드리 경쟁 완화, 양사 3nm 기반 ‘베이스 다이’ 공동 개발
🇰🇷 한글 번역
삼성전자는 일반적으로 HBM의 코어 및 베이스 다이 개발 시 ‘턴키’ 방식을 채택해 왔지만, 최신 보도에 따르면 엔비디아의 맞춤형 NVHBM은 삼성과 TSMC가 관여하는 제조 과정에서 더 간소화된 접근 방식을 요구한다. 양사는 3nm 공정 노드에서 베이스 다이 개발을 위해 사실상 손을 잡았으며, 최종 목표는 품질 검증 단계를 줄인 표준화된 제품을 만드는 것이다.
마이크론과 SK하이닉스도 동일한 목적을 달성하기 위해 삼성과 함께 참여하고 있다. 엔비디아는 하나의 제조 공정을 채택함으로써 일관된 성능을 확보하고자 한다.
페르미안 GPUs가 맞춤형 HBM으로 처리될 것이라고 언급된 만큼, 엔비디아는 자체 솔루션이 표준 HBM4E 대비 최대 30% 더 많은 메모리 대역폭을 제공하면서도 최대 15% 낮은 전력 소모를 달성할 수 있다고 약속했다. 그러나 이러한 이점을 실현하기 위해 엔비디아는 메모리 제조사 전반에 걸쳐 표준화를 보장해야 하며, 이에 따라 GPU 제조사는 삼성, 마이크론, SK하이닉스에 TSMC의 3nm 노드에서 NVHBM의 베이스 다이 제조를 요청한 것으로 알려졌다.
또한 코어 다이는 6세대 DRAM 공정, 즉 1c 공정에 의존해야 한다. 거대 메모리 기업들을 단일 제조 공정으로 끌어모으는 동기는 완제품의 일관된 성능 확보에 있다. 베이스 다이에만 TSMC의 3nm 공정이 사용되면 엔비디아는 각 벤더의 샘플을 개별적으로 검증할 필요가 없어져, 불필요한 부담에서 valuable한 시간과 자원을 절약할 수 있다.
최신 보도에 따르면 삼성은 이 요청을 수락했으며, 이는 한국 거대 기업이 ‘턴키’ 방식에서 벗어나는 첫 사례다. 그러나 엔비디아는 NVHBM 수요가 TSMC의 생산 능력을 초과할 경우를 대비해 자체 파운드리도 평가 중이다. 표준 HBM의 코어 및 베이스 다이 개발은 계속 삼성이 담당할 예정이며, 이 솔루션이 가져오는 exceptional한 수요를 고려할 때 삼성은 TSMC와의 임시 동맹 형성에 큰 문제점을 느끼지 않을 것이다.
HBM은 삼성이 파운드리 손실을 줄이는 데에도 구원투수 역할을 하고 있다. 앞서 추정된 바에 따르면, 한국 거대 기업의 손실은 2025년 6조 7400억 원(약 51억 달러)에서 2026년 3조 9200억 원(약 29억 5000만 달러)으로 단 1년 만에 41% 감소했다.
뉴스 출처: 서울경제
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📄 원문 (English)
Samsung has typically adopted a “turnkey” approach when developing HBM’s core and base dies, but according to the latest report, NVIDIA’s custom NVHBM requires a more streamlined approach in manufacturing involving Samsung and TSMC. Both firms have seemingly joined forces to develop the base die on the 3nm node, with the end goal being a standardized product requiring fewer quality verification steps.
Micron and SK hynix have also joined Samsung to achieve the same purpose, as NVIDIA aims to obtain consistent performance by adopting one manufacturing process
As Feyman GPUs have been mentioned to be treated to custom HBM, NVIDIA has also promised that the in-house solution can deliver up to 30 percent more memory bandwidth than standard HBM4E while utilizing up to 15 percent lower power draw. However, to achieve these advantages, NVIDIA must ensure standardization across memory manufacturers, which is why the GPU maker has reportedly asked Samsung, Micron, and SK hynix to manufacture the NVHBM’s base die on TSMC’s 3nm node.
Additionally, the core die needs to rely on the sixth-generation DRAM process, also known as 1c. The motivation behind bringing all the massive memory giants toward utilizing a single manufacturing process is consistent performance from the finished product. With only TSMC’s 3nm process being used for the base die, NVIDIA won’t have to verify each vendor’s sample separately, saving valuable time and resources in this unnecessary burden.
Based on the latest report, Samsung has accepted this request, making it the first time that the Korean giant is moving away from a “turnkey” approach. However, the company is still evaluating its own foundry in case NVHBM demand exceeds TSMC’s production capacity. Standard HBM’s core and base die development will continue to be handled by Samsung, and given the exceptional demand this solution is bringing, Samsung won’t mind forming a temporary alliance with TSMC.
HBM is also Samsung’s savior in reducing its foundry losses, as an earlier estimation claimed that the Korean giant’s loss shrank 41 percent in a single year from 6.74 trillion won (“$5.1 billion”) in 2025 down to 3.92 trillion won (“$2.95 billion”) in 2026.
News Source: Seoul Economic Daily
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